典型文献
SiC光导开关衬底与电极界面场强仿真与优化设计
文献摘要：
研究电极结构、SiC与电极连接结构对界面场强的影响,通过电极边缘以及SiC晶体结构的优化降低界面处的电场增强,并通过高压试验测试优化电极结构的击穿电压.结果表明,优化电极倒角以及SiC晶体与电极的界面下埋可有效降低电场增强,在电极为圆倒角及界面使用焊料连接的结构下,使用介质环的器件在电压22 kV时击穿.
文献关键词：
光导半导体;SiC开关;电极;界面;击穿场强
中图分类号：
作者姓名：
罗燕;丁蕾;赵毅;姚崇斌;王立春
作者机构：
上海航天电子通讯设备研究所, 上海 201109
文献出处：
引用格式：
[1]罗燕;丁蕾;赵毅;姚崇斌;王立春-.SiC光导开关衬底与电极界面场强仿真与优化设计)[J].强激光与粒子束,2022(06):41-46
A类：
光导半导体
B类：
SiC,光导开关,衬底,电极界面,电极结构,连接结构,极边,晶体结构,电场增强,高压试验,试验测试,测试优化,击穿电压,倒角,焊料,kV,击穿场强
AB值：
0.393093
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
