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变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性
文献摘要：
根据建立的变掺杂变组分反射式AlxGa1–xAs/GaAs光电阴极的分辨力模型以及调制传递函数(MTF)理论模型,仿真了材料中掺杂浓度线性变化、Al组分线性变化,掺杂浓度均匀不变、Al组分线性变化,掺杂浓度线性变化、Al组分均匀不变,掺杂浓度均匀不变、Al组分均匀不变这4种不同结构反射式光电阴极的分辨力特性.分析了Al组分、掺杂浓度、AlxGa1–xAs层厚度、GaAs层厚度和入射光波长对阴极分辨力的影响.仿真结果表明,阴极材料中掺杂浓度梯度变化以及Al组分梯度变化都可以提高反射式AlxGa1–xAs/GaAs光电阴极的分辨力,其中掺杂浓度线性变化的同时,Al组分线性变化对AlxGa1–xAs/GaAs光电阴极分辨力的影响最为明显.仿真结果还表明:Al组分从0.45线性变化至0时,阴极分辨力最好;掺杂浓度从1019—1018 cm–3线性变化比保持1019 cm–3不变,阴极分辨力更好;而阴极中AlxGa1–xAs、GaAs层厚度以及入射光波长对4种阴极分辨力的影响则有着不同的变化规律.
文献关键词：
变掺杂变组分;调制传递函数;内建电场;分辨力
中图分类号：
作者姓名：
邓文娟;朱斌;王壮飞;彭新村;邹继军
作者机构：
东华理工大学,核技术应用教育部工程研究中心,南昌 330013;东华理工大学,江西省新能源工艺及装备工程技术中心,南昌 330013
文献出处：
引用格式：
[1]邓文娟;朱斌;王壮飞;彭新村;邹继军-.变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性)[J].物理学报,2022(15):265-271
A类：
变掺杂变组分
B类：
AlxGa1,xAs,GaAs,反射式,光电阴极,分辨力,调制传递函数,MTF,掺杂浓度,线性变化,分线,结构反射,入射光,光波长,对阴极,阴极材料,浓度梯度,梯度变化,组分梯度,高反射,内建电场
AB值：
0.18539
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