典型文献
钒掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体生长与深能级缺陷研究
文献摘要：
CdMnTe(稀锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值.本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd0.9Mn0.1Te∶V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布.紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602和1.597 eV.光致发光谱中,晶体的(D0,X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好.室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×1010和9.54×109 Ω·cm,漏电流分别为3和8.5 nA.霍尔测试表明晶体导电类型为n型.通过热激电流谱研究了 Cd0.9Mn0.1Te∶V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(TeCd2+)的深施主能级(EDD)的值分别为0.90和0.812 eV.并且深施主能级EDD使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率.
文献关键词：
Cd0.9Mn0.1Te∶V;深能级缺陷;深施主能级;费米能级
中图分类号：
作者姓名：
游思伟;艾涛;栾丽君
作者机构：
长安大学材料科学与工程学院,陕西西安710061
文献出处：
引用格式：
[1]游思伟;艾涛;栾丽君-.钒掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体生长与深能级缺陷研究)[J].稀有金属材料与工程,2022(05):1873-1878
A类：
1Te,CdMnTe,TeCd2+,深施主能级
B类：
钒掺杂,Cd0,9Mn0,晶体生长,深能级缺陷,半导体材料,核辐射探测,垂直布里奇曼法,光电性能,近红外光谱分析,尾部,禁带宽度,eV,光致发光谱,D0,尖锐,半峰宽,杂质含量,晶体质量,体电阻率,漏电流,nA,霍尔,测试表明,热激,激电,流谱,EDD,费米能级
AB值：
0.267696
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