典型文献
新型二维拉胀材料SiGeS的理论预测及其光电性质
文献摘要：
二维材料由于其在力学、电学以及光学等领域的潜在应用而受到广泛关注.基于第一性原理计算,通过有序地排列SiH3SGeH3的Si-S-Ge骨架,设计了一种全新的二维材料SiGeS.单层SiGeS具有良好的能量、动力学以及热力学稳定性.SiGeS具有非常罕见的负泊松比.此外,单层SiGeS是间接带隙半导体,其带隙值为1.95 eV.在应变的作用下,SiGeS可转变为带隙范围为1.32—1.58 eV的直接带隙半导体,可被应用在光学或半导体领域.同时,本征SiGeS拥有优异光吸收能力,其最高光吸收系数可达约105 cm–1,吸收范围主要在可见光到紫外波段.在应变下,光吸收范围可覆盖到整个红外波段.这些有趣的性质使得SiGeS成为一种多功能材料,有望被用于纳米电子、纳米力学以及纳米光学等领域.
文献关键词：
第一性原理;二维材料;负泊松比;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
祝裕捷;蒋涛;叶小娟;刘春生
作者机构：
南京邮电大学电子与光学工程学院,南京 210023
文献出处：
引用格式：
[1]祝裕捷;蒋涛;叶小娟;刘春生-.新型二维拉胀材料SiGeS的理论预测及其光电性质)[J].物理学报,2022(15):89-96
A类：
SiGeS,SiH3SGeH3
B类：
维拉,拉胀材料,理论预测,光电性质,二维材料,电学,潜在应用,第一性原理计算,热力学稳定性,负泊松比,带隙,eV,半导体领域,光吸收能力,光吸收系数,可见光,变下,红外波段,有趣,多功能材料,纳米力学,光学性质
AB值：
0.278159
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