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Y掺杂WS2二维材料的第一性原理研究
文献摘要：
WS2由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注.本研究基于第一性原理计算方法,探索了本征单层WS2及不同浓度W原子替位钇(Y)掺杂WS2的电子结构和光学特性.结果表明本征单层WS2为带隙1.814 eV的直接带隙半导体.进行4％浓度(原子数分数)的Y原子掺杂后,带隙减小为1.508 eV,依旧保持着直接带隙的特性,随着Y掺杂浓度的不断增大,掺杂WS2带隙进一步减小,当浓度达到25％时,能带结构转变为0.658 eV的间接带隙,WS2表现出磁性.适量浓度的掺杂可以提高材料的导电性能,且掺杂浓度增大时,体系依旧保持着透明性并且在红外光和可见光区对光子的吸收能力、材料的介电性能都有着显著提高.本文为WS2二维材料相关光电器件的研究提供了理论依据.
文献关键词：
二维材料;WS2;第一性原理;Y掺杂;电子结构;光学性质;光电器件
中图分类号：
作者姓名：
宁博;张国欣;闫冰;赵杨;石轩;赵洪泉
作者机构：
重庆邮电大学光电工程学院,重庆 400065;中国科学院重庆绿色智能技术研究院,重庆 400714
文献出处：
引用格式：
[1]宁博;张国欣;闫冰;赵杨;石轩;赵洪泉-.Y掺杂WS2二维材料的第一性原理研究)[J].人工晶体学报,2022(04):643-651
A类：
B类：
WS2,二维材料,第一性原理研究,光电性质,第一性原理计算方法,电子结构,光学特性,带隙,eV,原子数,原子掺杂,掺杂浓度,能带结构,结构转变,磁性,高材,导电性能,透明性,可见光,光子,吸收能力,介电性能,关光,光电器件,光学性质
AB值：
0.283822
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