典型文献
二维InSe/SnSe2范德华异质结的电子结构和光学特性研究
文献摘要：
本文构建了三种不同堆叠形式下的二维InSe/SnSe2范德华异质结模型,利用基于密度泛函理论的第一性原理方法综合考察了二维InSe/SnSe2三种不同堆叠情况下的几何构型及稳定性,在此基础上选取具有最稳定性能的构型.该异质结呈现出II型能带对齐特征,带隙值为1.118 eV,可以实现电子-空穴的有效分离.另外,相比与单层二维InSe/SnSe2范德华异质结的光吸收能力达到明显提升,在紫外光范围内吸收系数达到106 cm-1.研究结果将为相关物理实验及机理研究提供理论基础,对二维InSe/SnSe2范德华异质结在光电器件中的应用具有重要的物理意义.
文献关键词：
InSe/SnSe2范德华异质结;电子结构;光学特性;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
蒋庆刚;薛雅杰
作者机构：
河南理工大学 鹤壁工程技术学院,鹤壁458030;河南师范大学 物理学院,新乡453007
文献出处：
引用格式：
[1]蒋庆刚;薛雅杰-.二维InSe/SnSe2范德华异质结的电子结构和光学特性研究)[J].原子与分子物理学报,2022(04):61-66
A类：
B类：
InSe,SnSe2,范德华异质结,电子结构,光学特性,堆叠,基于密度,密度泛函理论,第一性原理方法,几何构型,上选,稳定性能,II,对齐,带隙,eV,空穴,有效分离,光吸收能力,力达,紫外光,内吸收,吸收系数,物理实验,结在,光电器件,物理意义
AB值：
0.293852
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