典型文献
Ge,Al掺杂锰硅化合物Mn4Si7的第一性原理计算
文献摘要：
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及Ge,Al单掺杂和共掺杂Mn4 Si7的晶体结构,能带结构,态密度以及光学性质进行了计算和分析.计算结果表明:本征态Mn4Si7的禁带宽度为0.810 eV,为直接带隙半导体材料,掺杂后晶体结构稍微变化,禁带宽度减小,且共掺杂时禁带宽度最小,电导率最好.Al以及Ge,Al共同掺杂时会产生杂质能级.掺杂后光子能量向低能级方向移动,光电导率,光吸收,反射系数都有所增大,说明掺杂改善了Mn4Si7的光学性质,从而可以提高光伏发电效率.
文献关键词：
第一性原理;Mn4Si7;光学性质;光伏发电
中图分类号：
作者姓名：
丁璨;胡兴;高振江;丁庆昌
作者机构：
三峡大学电气与新能源学院,宜昌443002
文献出处：
引用格式：
[1]丁璨;胡兴;高振江;丁庆昌-.Ge,Al掺杂锰硅化合物Mn4Si7的第一性原理计算)[J].原子与分子物理学报,2022(03):135-142
A类：
Mn4Si7,Si7
B类：
Ge,硅化,基于密度,密度泛函理论,DFT,第一性原理计算方法,共掺杂,晶体结构,能带结构,态密度,光学性质,禁带宽度,eV,带隙,半导体材料,稍微,微变,时禁,能级,光子能量,光电导率,光吸收,反射系数,光伏发电,发电效率
AB值：
0.282256
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
