典型文献
含缺陷的二维CuⅠ光电性质的第一性原理计算
文献摘要：
基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuⅠ的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuⅠ的带隙值为1.56 eV,为直接带隙半导体;Ⅰ和Cu缺陷的引入使2D CuⅠ的带隙值小,Cu缺陷的引入并未改变2D CuⅠ的带隙方式,而I缺陷的引入使2D CuⅠ变为间接带隙半导体.光学性质计算结果表明本征2D CuⅠ的静介电函数为2.47,Ⅰ缺陷的引入对2D CuⅠ的静介电函数影响较小,但是在Cu缺陷时2D CuⅠ的静介电函数急剧增大.
文献关键词：
密度泛函理论;二维CuⅠ结构;本征缺陷;电子结构;光学特征
中图分类号：
作者姓名：
宋娟;贺腾
作者机构：
贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100080
文献出处：
引用格式：
[1]宋娟;贺腾-.含缺陷的二维CuⅠ光电性质的第一性原理计算)[J].原子与分子物理学报,2022(03):68-72
A类：
B类：
光电性质,第一性原理计算,基于密度,密度泛函理论计算,本征缺陷,光电特性,能带结构,介电函数,2D,带隙,eV,未改,光学性质,电子结构,光学特征
AB值：
0.243802
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
