典型文献
基于吸收互补有机半导体本体复合薄膜的高性能柔性光突触晶体管
文献摘要：
采用光吸收互补的聚(3-己基噻吩)(P3HT)和引达省并二噻吩-苯并噻二唑共聚物(PIDT-BT),通过溶液法制备了两者的本体复合异质结构有机半导体薄膜,并研究了薄膜的表面结构和光电性质.将PIDT-BT:P3HT复合薄膜作为一类新型光敏沟道层,与聚电解质介电材料相结合,制备了高性能柔性低电压光突触晶体管.考察了不同光刺激条件对光突触晶体管性能的影响及半导体机制,发现PIDT-BT:P3HT器件具有明显光突触特性,并且相较于单纯PIDT-BT或P3HT器件具有更高响应的兴奋性突触后电流.基于PIDT-BT:P3HT薄膜的光突触器件,在绿红双色光刺激下的响应大于两种单色光分别刺激的响应之和,表明附加光刺激可调控器件的记忆效率.该研究为发展高性能光响应半导体薄膜及柔性低功耗光突触器件提供了新策略.
文献关键词：
有机半导体;薄膜晶体管;光突触器件;柔性电子;低电压
中图分类号：
作者姓名：
孙嘉贤;刘禹廷;尹志刚;郑庆东
作者机构：
福州大学化学学院 福州350108;中国科学院福建物质结构研究所 结构化学国家重点实验室 福州350002;中国福建光电信息科学与技术创新实验室 福州350108
文献出处：
引用格式：
[1]孙嘉贤;刘禹廷;尹志刚;郑庆东-.基于吸收互补有机半导体本体复合薄膜的高性能柔性光突触晶体管)[J].化学学报,2022(07):936-945
A类：
引达省,PIDT,光突触器件
B类：
有机半导体,复合薄膜,突触晶体管,光吸收,噻吩,P3HT,苯并噻二唑,共聚物,BT,溶液法,异质结构,半导体薄膜,表面结构,光电性质,光敏,沟道,聚电解质,介电材料,低电压,压光,光刺激,高响应,兴奋性突触后电流,双色,单色光,可调控,记忆效率,光响应,低功耗,薄膜晶体管,柔性电子
AB值：
0.279046
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