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光源掩模联合优化技术研究
文献摘要：
光刻机是集成电路制造的核心装备,光刻分辨率是光刻机的重要性能指标.作为提高光刻机分辨率的重要手段,分辨率增强技术可以推动芯片向更高集成度发展.光源掩模联合优化(SMO)通过同时优化光源和掩模图形提高光刻分辨率,是28nm及以下技术节点必不可少的分辨率增强技术之一.光源与掩模的准确表征是SMO技术的基础,高效的优化算法是对光源和掩模进行优化的核心手段.SMO技术应用于全芯片的前提是进行关键图形筛选.本文回顾了 SMO技术的发展历史,并结合本团队对SMO技术的研究,介绍了关键图形筛选方法、光源与掩模表征方法和优化算法的基本原理和国内外的研究进展.
文献关键词：
光刻;分辨率增强技术;光源掩模联合优化
中图分类号：
作者姓名：
廖陆峰;李思坤;张子南;王向朝
作者机构：
中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室,上海201800;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]廖陆峰;李思坤;张子南;王向朝-.光源掩模联合优化技术研究)[J].激光与光电子学进展,2022(09):177-196
A类：
光源掩模联合优化
B类：
优化技术,光刻机,集成电路制造,核心装备,分辨率增强技术,高集成度,SMO,同时优化,28nm,模进,键图,本团,筛选方法,表征方法
AB值：
0.189487
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