典型文献
单晶锗激光电解自耦合协同加工基础研究
文献摘要：
以硅、锗为代表的半导体材料在集成电路芯片、微机电系统等领域得到了广泛应用.针对该类材料硬脆性强、传统加工工艺难以加工的不足,提出了一种激光电化学复合加工方法,利用皮秒激光辐照定域以提高单晶锗的电导率,实现了激光热力效应与电化学阳极溶解的自耦合协同加工.阐述了该加工方法的理论依据,设计了背向光控电解试验,进行了机理验证,分析了光控电解所得的凹坑结构的形貌特征,讨论了偏置距离对其的影响规律.在此基础上,将激光热力效应与电化学阳极溶解耦合于单晶锗上表面,开展了激光电解自耦合协同微切槽试验,分析了微槽加工表面的特点,讨论了加工电压对微沟槽尺寸的影响规律.
文献关键词：
激光技术;自耦合协同加工;激光电解;单晶锗;表面形貌
中图分类号：
作者姓名：
王超;朱浩;张朝阳;蒋子宣;杜文武;张敏
作者机构：
江苏大学机械工程学院,江苏镇江 212013
文献出处：
引用格式：
[1]王超;朱浩;张朝阳;蒋子宣;杜文武;张敏-.单晶锗激光电解自耦合协同加工基础研究)[J].中国激光,2022(22):211-219
A类：
激光电解,自耦合协同加工
B类：
单晶锗,半导体材料,集成电路,微机电系统,硬脆性,加工工艺,光电化学,复合加工,加工方法,皮秒激光,激光辐照,电导率,光热,热力效应,阳极溶解,背向,向光,光控,凹坑,形貌特征,偏置,解耦,切槽,微槽,微沟槽,激光技术,表面形貌
AB值：
0.308725
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