典型文献
高等离子体功率密度下MPCVD法制备多晶金刚石膜
文献摘要：
通过自制的MPCVD双基片台设备,在微波功率为1400 W保持不变及中高气压,等离子体功率密度为357.5～807.4 W/cm3,基片温度为850±30℃,CH4体积分数为1.0％～1.5％,沉积速率为1～8μm/h条件下,在直径11.5 mm的硅基片上沉积不同质量的多晶金刚石膜,并通过光谱仪、光学显微镜、拉曼光谱仪对等离子体中的氢原子及含碳基团、多晶薄膜的形貌及质量进行表征.结果表明:随着等离子体功率密度上升,等离子体椭球中的氢原子基团和含C的活性基团强度增加,金刚石膜生长速率大幅度提高,金刚石膜纯度也大幅度提升.在气压为21 kPa,等离子体功率密度为807.4 W/cm3,基片温度为850±30℃,生长时间为150 h,CH4体积分数为1.0％及氢气流量为200 mL/min的条件下,金刚石膜的生长速率达到5μm/h,金刚石膜厚达752.0μm,金刚石拉曼峰的半高宽为6.48 cm?1,且生长的金刚石膜质量良好.
文献关键词：
微波等离子体化学气相沉积;金刚石膜;等离子体功率密度;沉积速率;薄膜质量
中图分类号：
作者姓名：
何中文;马志斌
作者机构：
武汉工程大学 材料科学与工程学院, 等离子体化学与新材料湖北省重点试验室, 武汉 430073
文献出处：
引用格式：
[1]何中文;马志斌-.高等离子体功率密度下MPCVD法制备多晶金刚石膜)[J].金刚石与磨料磨具工程,2022(02):156-161
A类：
等离子体功率密度
B类：
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AB值：
0.213709
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