典型文献
一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路
文献摘要：
设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路.电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度.在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误.针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度.采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计.仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns.
文献关键词：
GaN栅驱动;电平位移电路;高速;高共模瞬态抗扰度
中图分类号：
作者姓名：
秦尧;叶自凯;尤勇;庄春旺;明鑫;王卓;张波
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;华润微集成电路(无锡)有限公司,江苏无锡214135;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院,重庆401331
文献出处：
引用格式：
[1]秦尧;叶自凯;尤勇;庄春旺;明鑫;王卓;张波-.一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路)[J].微电子学,2022(05):734-739
A类：
高共模瞬态抗扰度,电平位移电路,栅驱动,浮动电源轨
B类：
GaN,PWM,短脉冲,协同控制,脉冲控制,电平转换,换速,减幅,荡过,路内,寄生电容,充放电,逻辑错误,低功耗,制式,声屏,屏蔽,CMOS,电路设计,传输延时,ns,失配,ps
AB值：
0.264363
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