典型文献
Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化
文献摘要：
在室温和773 K下,使用能量为5 MeV,注量为3×1013,6×1013 cm-2的Xe离子辐照了不同组分的InxGa1-xN(x=0.32,0.47,0.7,0.8,0.9,1.0)薄膜.利用X射线光电子能谱和光学显微镜对辐照前后薄膜的化学组分和表面形貌进行了表征.结果表明,Xe离子辐照造成了 InxGa1-xN薄膜的辐射分解和表面氧化,氧化程度随In组分x的增加而增强.与室温下的离子辐照相比,在773 K温度下进行辐照时,薄膜中辐照缺陷的积聚速率明显减慢;但当离子注量从3×1013 cm-2增加至6×1013 cm-2时,薄膜的损伤速率显著加快.与富Ga组分的InxGa1-xN(x＜0.5)薄膜不同,富In组分的薄膜在Xe离子辐照后发生了起皮和剥落现象,表现出明显较差的抗辐照能力.
文献关键词：
InGaN;重离子辐照;化学组分;表面形貌
中图分类号：
作者姓名：
刘宁;张利民;李治明;刘雪婷;彭金鑫;张硕;王铁山;郭红霞
作者机构：
兰州大学核科学与技术学院,兰州730000;强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024
文献出处：
引用格式：
[1]刘宁;张利民;李治明;刘雪婷;彭金鑫;张硕;王铁山;郭红霞-.Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化)[J].现代应用物理,2022(02):121-128
A类：
B类：
Xe,InGaN,化学组分,表面形貌,MeV,不同组分,InxGa1,xN,光电子能谱,光学显微镜,辐射分解,表面氧化,氧化程度,辐照缺陷,积聚,减慢,起皮,剥落,抗辐照,重离子辐照
AB值：
0.285389
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