典型文献
基于优化无源缓冲的串联SiC MOSFET均压方法
文献摘要：
为解决驱动信号延迟造成SiC MOSFET在串联应用中电压失衡的问题,提出一种优化的无源缓冲方法.在MOS管栅极与漏极两端并联一个均压电容,通过改变器件的开关速度从而实现均压的目的.仿真结果表明,该方法在双管串联应用中能够较好的实现开关过程中的电压均衡,且只会引入很小的缓冲损耗和电流应力,证明了该方法的有效性.
文献关键词：
SiC MOSFET;串联器件电压失衡;无源缓冲优化;反向电压失衡
中图分类号：
作者姓名：
罗国盛;李明勇;何金平
作者机构：
武汉船用电力推进装置研究所,武汉 430064
文献出处：
引用格式：
[1]罗国盛;李明勇;何金平-.基于优化无源缓冲的串联SiC MOSFET均压方法)[J].船电技术,2022(03):10-14
A类：
串联器件电压失衡,无源缓冲优化,反向电压失衡
B类：
SiC,MOSFET,驱动信号,栅极,均压电容,双管,关过,电压均衡,电流应力
AB值：
0.251523
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
