典型文献
基于准串联SiC MOSFET的高增益直流电力电子变压器
文献摘要：
直流配电技术相较于交流配电有诸多优势,其在深海设备供电应用中有广阔前景.该文提出一种基于准串联碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的直流电力电子变压器(power electronic transformer,PET),能够在体积受限的条件下,实现几千伏中压直流到几百伏低压直流的高增益隔离电能变换.直流PET通过多个隔离降压子模块在输入端串联–输出端并联实现高电压增益.为满足输入侧高电压的需求,同时降低直流PET体积,在输入侧采用准串联SiC MOSFET半桥结构,提高子模块输入电压等级,减少子模块数量.采用裸芯片对直流PET进行搭建,并采用绝缘冷却液浸泡的方式,实现直流PET的绝缘和散热,进一步减小绝缘、散热体积,满足深海场景体积受限的应用需求.最后,搭建1台4.5kV/680V/30kW实验样机验证所提方案的可行性.
文献关键词：
准串联;碳化硅金属—氧化物半导体场效应晶体管;深海供电;直流电力电子变压器
中图分类号：
作者姓名：
刘基业;郑泽东;李驰;王奎;李永东
作者机构：
电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系),北京市 海淀区 100084
文献出处：
引用格式：
[1]刘基业;郑泽东;李驰;王奎;李永东-.基于准串联SiC MOSFET的高增益直流电力电子变压器)[J].中国电机工程学报,2022(08):2987-2996,中插17
A类：
准串联,直流电力电子变压器,少子模块,680V,深海供电
B类：
SiC,MOSFET,高增益,直流配电,碳化硅,silicon,carbide,氧化物半导体,场效应晶体管,metal,oxide,semiconductor,field,effect,transistor,power,electronic,transformer,PET,几千,千伏,中压直流,流到,几百,低压直流,降压,输出端,高电压增益,侧高,半桥结构,输入电压,电压等级,绝缘,冷却液,散热,热体,应用需求,5kV,30kW,样机验证
AB值：
0.296016
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