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稀释气体流量对外延生长3C-SiC薄膜的影响
文献摘要：
3C-SiC具有带隙宽、临界击穿电场高、导热率高、载流子饱和漂移速率高等优异的物理特性,被广泛应用于大功率电子器件.3C-SiC(001)单晶薄膜具有最高的电子迁移率,能显著提高大功率场效应晶体管(MOSFET)器件的性能.本论文采用激光化学气相沉积技术在Si(001)衬底异质外延3C-SiC薄膜,研究了稀释气体流量对3C-SiC(001)薄膜的影响.当氢气流量为0.5 slm时,薄膜具有最大的电子迁移率590 cm2V-1S-1.
文献关键词：
3C-SiC;大功率电子器件;激光化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
朱佩佩;熊梦杨;涂溶
作者机构：
武汉船用电力推进装置研究所;武汉理工大学,武汉 430064
文献出处：
引用格式：
[1]朱佩佩;熊梦杨;涂溶-.稀释气体流量对外延生长3C-SiC薄膜的影响)[J].船电技术,2022(10):28-31
A类：
激光化学气相沉积,cm2V
B类：
释气,气体流量,外延生长,3C,SiC,带隙,击穿,导热率,载流子,漂移,物理特性,大功率电子器件,单晶薄膜,电子迁移率,场效应晶体管,MOSFET,本论,沉积技术,衬底,异质外延,氢气流量,slm,1S
AB值：
0.311979
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