典型文献
一种碳化硅器件三电平电路的损耗计算方法
文献摘要：
三电平电路较之两电平电路,斩波频率高,谐波小,有利于滤波器的优化设计,以及能更好地用于高速电机的驱动.三电平电路中开关器件的损耗是影响逆变器性能的主要因素,而传统的IGBT损耗计算方法不适用于SiC MOSFET,且常用的物理模型方法计算量较大,因此,为了精确且简便地计算分析开关器件的损耗,通过平均值法和SiC器件的损耗参数研究了三电平I型和T型拓扑电路的损耗大小关系.采用PLECS软件进行仿真实验,实验结果与上述计算结果一致,验证了该损耗计算方法的可行性.
文献关键词：
碳化硅器件;三电平电路;平均值法;损耗参数;损耗计算
中图分类号：
作者姓名：
吕志通;李雪;迟颂
作者机构：
省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学),天津300130;河北省电磁场与电器可靠性重点实验室(河北工业大学),天津300130
文献出处：
引用格式：
[1]吕志通;李雪;迟颂-.一种碳化硅器件三电平电路的损耗计算方法)[J].电测与仪表,2022(03):75-81
A类：
斩波频率
B类：
碳化硅器件,三电平电路,损耗计算,较之,谐波,滤波器,高速电机,逆变器,IGBT,SiC,MOSFET,物理模型,模型方法,计算量,平均值法,损耗参数,参数研究,拓扑电路,大小关系,PLECS
AB值：
0.281867
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