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基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析
文献摘要：
SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点,被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中.针对固态功率控制器工况,选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析;对键合结构的选型与布局进行设计;对封装连接铜线、铜带的热影响进行分析.在封装设计基础上,通过有限元仿真对功率模块热性能进行评估.最后,搭建平台进行单路热测试.结果验证了仿真的准确性,以及封装设计的合理性.
文献关键词：
SiC MOSFET;裸片封装;热路理论;固态功率控制器;有限元热仿真
中图分类号：
作者姓名：
王浩南;曹玉峰;赖耀康;胡彩霞;张宏宇;王梓丞;翟国富
作者机构：
哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所,黑龙江哈尔滨150001;北京市科通电子继电器总厂有限公司,北京 100176;北京航天自动控制研究所,北京 100854
文献出处：
引用格式：
[1]王浩南;曹玉峰;赖耀康;胡彩霞;张宏宇;王梓丞;翟国富-.基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析)[J].电器与能效管理技术,2022(08):39-43
A类：
裸片封装,热路理论
B类：
SiC,MOSFET,功率模块,热分析,耐高温,大功率,固态功率控制器,堆叠,热阻,键合结构,铜线,铜带,热影响,装设,设计基础,有限元仿真,真对,热性能,搭建平台,有限元热仿真
AB值：
0.307598
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