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基于SiC器件的长寿命LED驱动电源
文献摘要：
针对目前LED驱动电源寿命与LED本体寿命不匹配的现状,通过优化拓扑结构消除电解电容的方式,提出一种基于碳化硅(SiC MOSFET)器件的长寿命数控LED驱动电路.主要方法是用MLCC电容代替电解电容,并且利用SiC MOSFET的高频特性来平衡驱动电源中输入、输出功率之间的脉动,实现LED驱动电源的长寿命.最后,通过搭建实验样机验证了所提出的长寿命LED驱动电路的正确性和可行性.
文献关键词：
无电解电容;碳化硅;MCU;拓扑结构
中图分类号：
作者姓名：
刘希庚;蔡志远;吴淑窈;刘学识
作者机构：
沈阳工业大学电气工程学院,辽宁沈阳110870
文献出处：
引用格式：
[1]刘希庚;蔡志远;吴淑窈;刘学识-.基于SiC器件的长寿命LED驱动电源)[J].电气应用,2022(03):1-7
A类：
B类：
SiC,长寿命,LED,驱动电源,拓扑结构,碳化硅,MOSFET,命数,数控,驱动电路,主要方法,MLCC,高频特性,输出功率,脉动,样机验证,无电解电容,MCU
AB值：
0.314139
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