典型文献
平面型纳米真空三极管的计算机模拟
文献摘要：
平面纳米真空三极管只需要平面工艺,与现有的微电子工艺兼容,与基于经典Spindt阴极的真空微电子三极管相比,具有工艺相对简单等特点,同样具备纳米真空电子器件抗辐射、温度稳定性好等优点.本文采用粒子模拟方法对平面型纳米真空三极管的场发射特性进行了计算机模拟研究,模拟中考虑了空间电荷的影响.典型器件的模拟结果表明,平面型纳米真空三极管具有信号响应速度快,工作电压较低等优点.研究了该三极管结构中的尖端曲率半径、尖端相对高度、栅极电压和阳极电压对场发射特性的影响,有助于设计和优化该类器件结构.这种平面型纳米真空三极管可望成为真空集成电路的基础器件,并在卫星等航空航天领域等需要抗辐射领域获得应用.
文献关键词：
纳米真空三极管;模拟仿真;场发射特性;Spindt阴极
中图分类号：
作者姓名：
何建澄;柳建龙;曾葆青
作者机构：
电子科技大学 电子科学与工程学院(示范性微电子学院),四川 成都610054
文献出处：
引用格式：
[1]何建澄;柳建龙;曾葆青-.平面型纳米真空三极管的计算机模拟)[J].真空电子技术,2022(05):63-66,76
A类：
纳米真空三极管,Spindt,场发射特性
B类：
面型,计算机模拟,平面工艺,微电子工艺,工艺兼容,阴极,真空电子器件,抗辐射,温度稳定性,粒子模拟,中考,空间电荷,响应速度快,工作电压,尖端,曲率半径,端相,相对高度,栅极电压,阳极,设计和优化,器件结构,可望,空集,集成电路,星等,航空航天,航天领域,模拟仿真
AB值：
0.272649
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