典型文献
负电子亲和半导体的二次电子发射
文献摘要：
根据0.8 keV≤Epomax≤5 keV的负电子亲和(negative electron affinity,NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission,SEE)的特性,初级电子产额R,现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据,分别推导并实验证明了NEA金刚石的δ在0.5 Epomax≤Epo≤10 Epomax,GaN在2 keV≤Epomax≤5 keV,NEA金刚石的δ在0.8 keV≤Epo≤3 keV,GaN在0.8 keV≤Epomax≤2 keV的特殊公式;其中Epomax为δ达到最大值时的Epo,Epo为初级电子入射能.推导出了0.8 keV≤Epomax≤5 keV时NEA半导体的内部二次电子到达发射极表面后逃逸到真空中的概率B.还提出了计算0.8 keV≤Epomax≤5 keV NEA半导体1/α的方法;其中1/α为二次电子的平均逃逸深度.分析结果表明,B和1/α的理论研究有助于研究不同样品制备方法对NEA半导体中SEE的定量影响,从而生产出理想的NEA发射体,如NEA金刚石.
文献关键词：
负电子亲和力;二次电子产额;概率;二次电子的平均逃逸深度;半导体
中图分类号：
作者姓名：
刘亦凡;谢爱根;董洪杰
作者机构：
南京信息工程大学 物理与光电工程学院 ,南京210044
文献出处：
引用格式：
[1]刘亦凡;谢爱根;董洪杰-.负电子亲和半导体的二次电子发射)[J].空间电子技术,2022(04):30-49
A类：
Epomax,Epo,二次电子的平均逃逸深度,负电子亲和力
B类：
二次电子发射,keV,negative,electron,affinity,NEA,secondary,emission,SEE,次级,金刚石,GaN,入射,发射极,样品制备,制备方法,二次电子产额
AB值：
0.136824
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