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碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应
文献摘要：
碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性.为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10～20 M eV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性.系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律.结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 M eV较低能质子导致的位移损伤退化更严重.分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制.
文献关键词：
碳化硅结势垒肖特基二极管;质子辐射效应;退化规律;效应机理
中图分类号：
作者姓名：
刘翠翠;郭刚;李治明;殷倩;张艳文;刘建成;韩金华;张峥;张付强;陈启明
作者机构：
中国原子能科学研究院 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 ,北京 102413;兰州大学 核科学与技术学院 ,甘肃 兰州 730000
文献出处：
引用格式：
[1]刘翠翠;郭刚;李治明;殷倩;张艳文;刘建成;韩金华;张峥;张付强;陈启明-.碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应)[J].同位素,2022(06):449-459
A类：
碳化硅结势垒肖特基二极管,结势垒肖特基二极管,辐射损伤机理,中能质子
B类：
质子辐射效应,SiC,JBS,航天器,电推进系统,关键部件,粒子辐射,抗辐射加固设计,考核评估,加速器,商用,eV,照实,伏安特性,电容电压,电学参数,分析器,关键特性,质子辐照,肖特基势垒,载流子浓度,位移损伤,PN,结界,界面缺陷,电学性能,照生,性能退化,退化规律,效应机理
AB值：
0.263065
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