典型文献
氦离子辐照烧结碳化硅损伤效应研究
文献摘要：
利用中国科学院近代物理研究所320 kV高压平台提供的氦离子辐照烧结碳化硅,辐照温度从室温到1000℃,辐照注量为1015～1017 cm-2.辐照完成后,进行退火处理,然后开展透射电子显微镜、拉曼光谱、纳米硬度和热导率测试.研究发现,烧结碳化硅中氦泡形核阈值注量低于单晶碳化硅.同时,氦泡形貌和尺寸与辐照温度、退火温度有关.另外,对辐照产生的晶格缺陷、元素偏析进行了研究.结果表明,辐照产生了大量的缺陷团簇,同时氦泡生长也会发射间隙子,在氦泡周围形成间隙型位错环.在晶界处,容易发生碳原子聚集.辐照导致材料先发生硬化而后发生软化,且热导率降低.
文献关键词：
烧结碳化硅;氦离子辐照;微观缺陷;氦泡
中图分类号：
作者姓名：
李炳生;杨浚源;李君涵;廖庆;徐帅;张桐民;王志光;刘会平;魏孔芳
作者机构：
西南科技大学 环境友好能源材料国家重点实验室,四川 绵阳 621010;中国科学院 近代物理研究所,甘肃 兰州 730000;西南科技大学 国防科技学院,四川 绵阳 621010
文献出处：
引用格式：
[1]李炳生;杨浚源;李君涵;廖庆;徐帅;张桐民;王志光;刘会平;魏孔芳-.氦离子辐照烧结碳化硅损伤效应研究)[J].原子能科学技术,2022(03):529-536
A类：
中国科学院近代物理研究所
B类：
氦离子辐照,烧结碳化硅,损伤效应,kV,压平,照完,退火处理,透射电子显微镜,拉曼光谱,纳米硬度,热导率,氦泡,形核,单晶,退火温度,晶格缺陷,元素偏析,团簇,位错环,晶界,碳原子,生硬,软化,微观缺陷
AB值：
0.277337
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