典型文献
碳化硅探测器的时间响应研究
文献摘要：
碳化硅探测器是近年来新兴的半导体探测器,具有高电荷收集效率和强抗辐照特性,被广泛用于中子和带电粒子探测.本文针对电流型碳化硅探测器的时间响应特性开展研究,利用W.C.狄钦松模型理论计算和可等效δ脉冲的超快射线束响应实验分别研究了碳化硅探测器的时间特性,理论和实验结果较为一致;研究发现碳化硅探测器的具有超快时间响应特性,上升时间和响应半高宽小于2 ns;研究了碳化硅探测器时间响应的尺寸效应,获得了探测器时间响应下降时间与RC时间参数关系的经验公式.本文研究结果可为碳化硅探测器的设计、脉冲射线探测应用等提供参考.
文献关键词：
碳化硅;半导体探测器;时间响应;宽禁带半导体;纳秒级;电流型探测器
中图分类号：
作者姓名：
刘林月;张建福;李辉;欧阳晓平
作者机构：
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西西安 710024
文献出处：
引用格式：
[1]刘林月;张建福;李辉;欧阳晓平-.碳化硅探测器的时间响应研究)[J].哈尔滨工程大学学报,2022(11):1547-1552
A类：
电流型探测器
B类：
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AB值：
0.303975
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