典型文献
典型电子系统总剂量效应行为级仿真
文献摘要：
为了实现电子系统的总剂量效应行为级仿真,本文提出了一种基于VHDL-AMS语言的行为级建模思路.利用VHDL-AMS语言对子电路或器件(如运算放大器、比较器和模数转换器等)的总剂量效应进行抽象建模,并从不同维度对模型的准确性进行了试验验证.在此基础上,依据器件、电路、模块之间的相互连接关系,构建典型电子系统总剂量效应行为级仿真模型,实现了其总剂量效应仿真,并与试验结果能够较好地吻合.基于行为级仿真建模,能有效简化系统总剂量效应建模难度,实现系统辐射敏感位置定位和损伤规律的再现,具有很好的应用价值,对空间电子系统的抗辐射加固设计和抗辐射性能预估能够提供技术支持.
文献关键词：
γ射线;电离辐射;总剂量效应;仿真建模;运算放大器;电压比较器;系统;模型
中图分类号：
作者姓名：
马武英;何宝平;刘林月;郭红霞;欧阳晓平
作者机构：
西安交通大学能源与动力工程学院,陕西西安 710049;强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所),陕西西安 710024
文献出处：
引用格式：
[1]马武英;何宝平;刘林月;郭红霞;欧阳晓平-.典型电子系统总剂量效应行为级仿真)[J].哈尔滨工程大学学报,2022(11):1553-1558
A类：
B类：
电子系统,总剂量效应,行为级仿真,VHDL,AMS,行为级建模,对子,子电路,运算放大器,模数转换器,不同维度,相互连接,仿真建模,辐射敏感,敏感位置,位置定位,损伤规律,抗辐射加固设计,抗辐射性,辐射性能,性能预估,电离辐射,电压比较器
AB值：
0.238602
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
