典型文献
常温C4+辐照对多晶HIP-SiC力学性能的影响
文献摘要：
热等静压(HIP)法具有提高材料致密度、抑制晶粒生长、避免晶粒取向等优点,常用于制备多晶6H-SiC材料.为探究HIP法制备的多晶6H-SiC辐照损伤特性,评价HIP工艺下碳化硅材料作为耐事故燃料包壳的可行性,以多晶6H-SiC为研究对象,分析样品辐照前后的性能、结构等变化.为防止其他元素对实验造成影响,实验采用的辐照离子为C4+,辐照剂量为1.8 dpa和5 dpa,并设置1组未辐照样品作对比.通过运用SEM、纳米压痕、XRD、拉曼光谱等测试分析多晶6H-SiC在离子辐照前后表面特征和性能参数的变化.研究结果表明,样品材料元素成分占比无明显变化,而硬度略有下降,晶格呈现损伤现象,但辐照很快趋于饱和且结构上未发生改变.因此从离子辐照方面分析,整体上HIP制备的多晶6H-SiC抗辐照能力较强,具有作为未来事故容错燃料基体的可能性.
文献关键词：
耐事故燃料包壳;HIP-SiC;离子辐照;性能表征
中图分类号：
作者姓名：
易柏全;刘旭东;郝祖龙
作者机构：
华北电力大学非能动核能安全技术北京市重点实验室,北京 102206
文献出处：
引用格式：
[1]易柏全;刘旭东;郝祖龙-.常温C4+辐照对多晶HIP-SiC力学性能的影响)[J].原子能科学技术,2022(12):2601-2606
A类：
C4+
B类：
多晶,HIP,SiC,热等静压,高材,致密度,晶粒生长,晶粒取向,6H,辐照损伤,损伤特性,碳化硅材料,耐事故燃料包壳,造成影响,辐照剂量,dpa,照样,纳米压痕,拉曼光谱,测试分析,离子辐照,表面特征,性能参数,元素成分,分占,晶格,很快,抗辐照,事故容错燃料,性能表征
AB值：
0.304602
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