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忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势
文献摘要：
记忆电阻器(简称忆阻器)作为新型非易失性存储器和人工神经突触器件的有力候选者,在航空航天、火星探测等空间科学与应用领域有着巨大的发展前景.忆阻器的大规模应用,对于其抗辐照性能有异常严苛的要求.为了提高忆阻器的抗辐照能力,需要探究其辐照效应机理,发展一套有效的抗辐照工艺技术.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,综述了忆阻器辐照效应的研究现状和趋势,重点针对过渡金属氧化物材料体系的忆阻器辐照效应,提出了现在亟须研究的科学问题和关键技术,从而为忆阻器抗辐照加固与空间应用提供一定的思路.
文献关键词：
忆阻器;辐照效应;位移损伤;电离损伤;抗辐照加固
中图分类号：
作者姓名：
王宇翔;汤戈;肖尧;赵欣雨;冯鹏;胡伟
作者机构：
成都理工大学核技术与自动化工程学院 成都 610059;重庆大学光电工程学院 重庆 400044
文献出处：
引用格式：
[1]王宇翔;汤戈;肖尧;赵欣雨;冯鹏;胡伟-.忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势)[J].核技术,2022(11):1-12
A类：
B类：
忆阻器,辐照效应,电阻器,非易失性存储器,神经突触,候选者,航空航天,火星探测,空间科学,抗辐照性能,严苛,效应机理,工艺技术,国内外研究现状,现状和趋势,过渡金属氧化物,材料体系,科学问题,抗辐照加固,空间应用,位移损伤,电离损伤
AB值：
0.280066
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