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高能离子梯度多剂量辐照4H-SiC的微结构及硬度变化研究
文献摘要：
为探讨高温高能离子辐照碳化硅后的结构和力学性能随剂量的变化,应用拉曼光谱和纳米压痕技术研究了122 MeV的20Ne4+离子梯度多剂量辐照后的4H-SiC.研究表明,SiC的相对拉曼强度随剂量的增大呈指数规律下降,并出现了代表无序化Si-C键和同核Si-Si键的散射峰.基于DI/DS模型的初步拟合表明,在低剂量范围内扩展缺陷簇是引起SiC无序化的主要因素,高剂量范围内的无序化则是由离子直接碰撞过程的非晶化和扩展缺陷簇共同引起.辐照后的SiC硬度取决于位错钉扎和共价键断裂的共同作用,在0～4.00 dpa之间硬度随剂量增大而增大,在4.00～8.05 dpa之间硬度随剂量增大而减小,剂量在8.05 dpa时,硬度相比于未辐照区域略高,此时共价键断裂和位错钉扎达到平衡.
文献关键词：
拉曼光谱;纳米压痕技术;相对拉曼强度
中图分类号：
作者姓名：
吕康源;张崇宏;张宪龙;韩旭孝;陈宇光;宋银
作者机构：
中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;中国科学院大学核科学与技术学院,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]吕康源;张崇宏;张宪龙;韩旭孝;陈宇光;宋银-.高能离子梯度多剂量辐照4H-SiC的微结构及硬度变化研究)[J].原子核物理评论,2022(04):533-538
A类：
20Ne4+,相对拉曼强度
B类：
4H,SiC,变化研究,离子辐照,碳化硅,拉曼光谱,纳米压痕技术,MeV,无序化,DI,DS,高剂量,非晶化,位错钉扎,共价键断裂,dpa
AB值：
0.208696
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