典型文献
MC模拟计算W-SiC辐射损伤研究
文献摘要：
基于Monte-Carlo法模拟W-SiC辐照损伤机理,通过分析不同能量质子在W-SiC中的位移能损、电离能损等,对辐照损伤的物理机制进行研究.结果表明,质子对W-SiC辐照损伤主要是电离效应,随入射能量增加电离效应加剧,其次位移损伤也不可忽略,质子对W-SiC涂层材料造成的位移损伤呈现Bragg峰曲线分布,且损伤区域均集中在材料表层,其中14.67 MeV质子射程仅为1.36 mm,此外W-SiC相较于Be、W和Mo材料具有良好的抗溅射性能.因此,W-SiC在第一壁材料上的应用研究具有重要参考价值.
文献关键词：
辐照损伤;第一壁材料;W-SiC防护涂层;MC算法
中图分类号：
作者姓名：
鲜铭权;任炬光;张艳丽;刘海兵;柯梦涛
作者机构：
成都理工大学工程技术学院,乐山614000;核工业西南物理研究院,成都610225
文献出处：
引用格式：
[1]鲜铭权;任炬光;张艳丽;刘海兵;柯梦涛-.MC模拟计算W-SiC辐射损伤研究)[J].核电子学与探测技术,2022(06):950-955
A类：
B类：
MC,SiC,辐射损伤,Monte,Carlo,辐照损伤,损伤机理,质子,电离能,物理机制,入射能量,加电,次位,位移损伤,涂层材料,Bragg,损伤区,MeV,射程,Be,溅射,第一壁材料,防护涂层
AB值：
0.371877
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