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真空电子器件输出窗次级电子倍增效应研究进展
文献摘要：
真空电子器件在毫米波和太赫兹波频段具有大功率的天然优势,可用于构建高效率、大功率的毫米波和太赫兹辐射源,对高功率微波技术及太赫兹技术的发展具有十分重要的意义.输出窗是真空电子器件的关键部件,输出窗击穿是器件失效的主要原因之一,而次级电子倍增效应被认为是输出窗击穿的主要原因.本文梳理了目前分米波及厘米波波段真空电子器件输出窗的研究现状,在此基础上梳理了这一领域未来研究的主要发展方向,以期为未来真空电子器件向更高功率和更高频率等级发展提供参考.
文献关键词：
真空电子器件;毫米波;太赫兹;输出窗;次级电子倍增效应
中图分类号：
作者姓名：
张雨婷;崔万照
作者机构：
中国空间技术研究院西安分院 空间微波技术重点实验室,陕西 西安 710000
文献出处：
引用格式：
[1]张雨婷;崔万照-.真空电子器件输出窗次级电子倍增效应研究进展)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(01):58-66
A类：
次级电子倍增效应,分米波
B类：
真空电子器件,输出窗,毫米波,太赫兹波,波频,频段,大功率,太赫兹辐射,辐射源,高功率微波,微波技术,太赫兹技术,关键部件,击穿,波及,厘米波,波波,波段,高频率
AB值：
0.207032
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