典型文献
侧入射探测器(MPD)Ⅴ型槽反射镜工艺制备
文献摘要：
侧入射器件在低成本的表面混合集成上有着广泛应用,而Ⅴ型槽反射镜制备是实现侧入射探测器的重要工艺,在(100)InP圆片抛光背面(制备p-i-n探测器)使用TiO2做为腐蚀掩膜,通过两步光刻套刻技术对腐蚀侧壁进行保护,解决了掩膜侧蚀问题,用HBr与H3PO4混合腐蚀液对InP图形窗口进行各向异性腐蚀,制备了与顶部p-i-n探测器精确对准的Ⅴ型槽反射镜.该Ⅴ型槽反射镜深度97μm,镜面角度54.7°,与Ⅴ型槽反射镜垂直方向剖面为倒台型结构,成功应用到侧入射探测器(MPD)芯片当中.
文献关键词：
V型槽反射镜;TiO2掩膜;侧入射探测器;V型槽
中图分类号：
作者姓名：
康建波;张世祖;张奇
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]康建波;张世祖;张奇-.侧入射探测器(MPD)Ⅴ型槽反射镜工艺制备)[J].电子工艺技术,2022(03):143-145,152
A类：
侧入射探测器
B类：
MPD,型槽,反射镜,工艺制备,射器,混合集成,InP,抛光,背面,TiO2,做为,掩膜,两步,光刻,侧壁,膜侧,侧蚀,HBr,H3PO4,各向异性,对准,镜面,面角,垂直方向,倒台,成功应用
AB值：
0.348491
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