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二硒化钼/石墨烯垂直异质结的制备与光电性能研究
文献摘要：
二维材料由于其原子级厚度和诸多独特物理性质受到了学术界与工业界的广泛关注,其中由石墨烯和过渡金属硫属化合物(TMDCs)堆叠而成的范德华尔斯垂直异质结更是在光电器件领域展现出巨大的应用前景.通过化学气相沉积法制备出高质量石墨烯薄膜和单层二硒化钼,然后采用湿法转移技术将两者转移并堆叠,形成垂直异质结,并采用拉曼光谱(Raman)、光致发光光谱(PL)以及原子力显微镜(AFM)对制备的样品进行表征,最后利用无掩模光刻技术制备光电器件并对其进行光电性能测试.实验结果发现MoSe2/graphene异质结器件与单层MoSe2光电器件相比,光电流和光响应度增强两个数量级以上,显示出该结构对于提升光电探测性能的优越性.
文献关键词：
二硒化钼;石墨烯;湿法转移;垂直异质结;光电探测器
中图分类号：
作者姓名：
高铭良;缪鑫;徐诗佳;万茜
作者机构：
江南大学 物联网工程学院 电子工程系, 江苏 无锡 214122
文献出处：
引用格式：
[1]高铭良;缪鑫;徐诗佳;万茜-.二硒化钼/石墨烯垂直异质结的制备与光电性能研究)[J].电子元件与材料,2022(05):449-456
A类：
B类：
二硒化钼,垂直异质结,二维材料,原子级,物理性质,工业界,过渡金属硫属化合物,TMDCs,堆叠,范德华,尔斯,光电器件,化学气相沉积法,石墨烯薄膜,湿法转移,拉曼光谱,Raman,光致发光光谱,PL,原子力显微镜,AFM,无掩模,光刻技术,光电性能测试,MoSe2,graphene,光电流,光响应度,数量级,光电探测性能,光电探测器
AB值：
0.302025
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