典型文献
一种InP/InGaAs PIN光电探测器芯片的设计与制作
文献摘要：
InGaAs/InP PIN型光电探测器具有低暗电流、高灵敏度和响应速度快的特性,且能够吸收1-1.7μm红外波段光辐射,因此广泛应用于光纤通信系统.该文设计了一种平面型InGaAs/InP PIN光电探测器芯片,重点介绍了该芯片的外延结构与芯片加工工艺,并对芯片参数进行了测试.
文献关键词：
InGaAs/InP;PIN;外延;工艺
中图分类号：
作者姓名：
赵媛媛;武传龙;高鹏飞
作者机构：
潍坊市知识产权保护中心,山东潍坊261000
文献出处：
引用格式：
[1]赵媛媛;武传龙;高鹏飞-.一种InP/InGaAs PIN光电探测器芯片的设计与制作)[J].电子质量,2022(07):44-47
A类：
B类：
InP,InGaAs,PIN,光电探测器,设计与制作,暗电流,高灵敏度,响应速度快,红外波段,光辐射,光纤通信系统,面型,加工工艺
AB值：
0.272653
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