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典型文献
基于低温ALD氧化锌/钙钛矿复合膜的光电探测器
文献摘要:
以原子层低温沉积技术(ALD)制备的氧化锌(ZnO)作为薄膜晶体管载流子传输层,将其与光电敏感性极高的CsPbBrI2全无机钙钛矿薄膜复合进一步研制出光电晶体管用于光电探测.氧化锌薄膜晶体管可在150℃低温条件下制备且无需高温退火,同时,CsPbBrI2钙钛矿薄膜也可以在低温工艺下制备.结果显示,CsPbBrI2/ZnO光电探测器表现出较好的性能,可对365 nm至600 nm波长的光辐射有光响应.在500 nm波长的光照射下,最大响应度和探测率分别可达2×103 A/W和3×1014 Jones.CsPbBrI2/ZnO光电晶体管的瞬态响应显示出250 ms的上升时间和200 ms的下降时间,并且在长时间测量后瞬态行为保持不变.
文献关键词:
薄膜晶体管;氧化锌;钙钛矿薄膜;光电探测器
作者姓名:
龚智鹏;杨尊先;郭太良
作者机构:
福州大学物理与信息工程学院,福州350108
文献出处:
引用格式:
[1]龚智鹏;杨尊先;郭太良-.基于低温ALD氧化锌/钙钛矿复合膜的光电探测器)[J].光电子技术,2022(04):274-279
A类:
CsPbBrI2
B类:
ALD,复合膜,光电探测器,低温沉积,沉积技术,ZnO,薄膜晶体管,载流子传输层,电敏,全无机钙钛矿,钙钛矿薄膜,光电晶体管,管用,氧化锌薄膜,低温条件,高温退火,低温工艺,光辐射,光响应,射下,最大响应,响应度,探测率,Jones,瞬态响应,ms,上升时间,下降时间,时间测量,瞬态行为
AB值:
0.323178
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