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纳秒脉冲激光制备硅量子点发光的退火效应
文献摘要：
为了获取高量子效率的硅基光源,利用纳秒脉冲激光在单晶硅片上制备微米级的圆孔形腔阵列,对该样品在高温退火处理后出现的性能进行研究.腔内形成的量子点在波长710nm附近有很强的光致发光峰.将样品放在1 000℃下进行高温退火处理,通过控制退火时间,对比研究退火前后的激发光功率变化的光致发光光谱,可以观察到自发辐射和受激辐射的变化趋势.同时,在退火20 min的腔中不同位置测量到光致发光的强度不同,发现腔体边缘的光致发光最强,这可能与腔体边缘上分布了大量的量子点发光有关.最后,采用标准的LED定标方法测量了腔内的最大光致发光外量子效率(PL-EQE).检测结果显示退火后腔体内的外量子效率可达9.29％.
文献关键词：
硅量子点;光致发光;高温退火;外量子效率
中图分类号：
作者姓名：
陈翠芬;张铁民;王梓霖;高连丛;苏畅;王可;王安琛;黄忠梅;黄伟其;彭鸿雁
作者机构：
海南师范大学物理与电子工程学院,海南海口 571158;贵州大学材料与冶金学院,贵州贵阳550025
文献出处：
引用格式：
[1]陈翠芬;张铁民;王梓霖;高连丛;苏畅;王可;王安琛;黄忠梅;黄伟其;彭鸿雁-.纳秒脉冲激光制备硅量子点发光的退火效应)[J].液晶与显示,2022(06):703-708
A类：
硅量子点,710nm
B类：
纳秒脉冲激光,退火效应,硅基,光源,单晶硅片,微米级,圆孔,孔形,高温退火,退火处理,制退,退火时间,发光功率,光致发光光谱,自发辐射,受激辐射,不同位置,位置测量,腔体,采用标准,LED,定标方法,大光,外量子效率,PL,EQE
AB值：
0.291128
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