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二维MoS2(1-x)Se2x特性及其光电晶体管性能
文献摘要：
表征了 MoS2(1-x)Se2x样品的Raman光谱和光致发光(PL)谱性质,验证了 MoS2(1-x)Se2x基于组分和厚度的带隙可调特性,并基于Raman光谱分析了单层及多层样品由于引入Se原子引起的结构变化及光谱特性.此外,受益于单层材料的直接带隙的电子结构,在405 nm激光波长、112.1 μW/cm2功率密度光照和0.5 V偏压的条件下,单层MoS2(1-x)Se2x光电探测器响应度最大约为29A/W,探测率超过4.0×1010 Jones,电流开关比约为102.单层MoS2(1-x)Se2x光电晶体管展示出的优异光电探测性能显示出其在未来光电领域的巨大潜力.
文献关键词：
二维材料;光电晶体管;光电探测;过渡金属二硫化物(TMD);MoS2(1-x)Se2x
中图分类号：
作者姓名：
钱程;巫君杰;李潇;徐浩
作者机构：
南京信息工程大学电子与信息工程学院,南京 210044;无锡学院电子信息工程学院,江苏无锡 214105;伦敦大学学院电气与电子工程系,伦敦 WC1E 6BT;电子科技大学物理学院,成都 611731
文献出处：
引用格式：
[1]钱程;巫君杰;李潇;徐浩-.二维MoS2(1-x)Se2x特性及其光电晶体管性能)[J].微纳电子技术,2022(04):306-311,347
A类：
Se2x
B类：
MoS2,光电晶体管,Raman,光致发光,PL,带隙可调,光谱分析,光谱特性,电子结构,激光波长,功率密度,偏压,光电探测器,响应度,29A,探测率,Jones,开关比,展示出,光电探测性能,巨大潜力,二维材料,过渡金属二硫化物,TMD
AB值：
0.302113
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