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典型文献
微波混合电路的静电防护
文献摘要:
为了减少封装过程中静电对微波混合电路中敏感芯片造成的损伤,本文针对高电子迁移率场效应晶体管(high electron mobility transistors,HEMT)制备工艺中的氮化镓功率放大器和砷化镓低噪声放大器两种典型微波混合电路,从产品的防静电设计角度和平行缝焊工装的设计优化两个方面,提出了两套解决方案,从而有效提升两款器件的静电防护能力和长期可靠性.
文献关键词:
氮化镓HEMT;砷化镓HEMT;保护电路;平行缝焊
作者姓名:
李保第;范国莹;白红美;王朋;宇文耀民;付兴辰
作者机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄0510051
文献出处:
引用格式:
[1]李保第;范国莹;白红美;王朋;宇文耀民;付兴辰-.微波混合电路的静电防护)[J].通讯世界,2022(03):136-138
A类:
高电子迁移率场效应晶体管
B类:
静电防护,封装,装过,high,electron,mobility,transistors,HEMT,制备工艺,氮化镓,功率放大器,砷化镓,低噪声放大器,防静电,平行缝焊,焊工,工装,两套,两款,防护能力,保护电路
AB值:
0.359243
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