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GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法
文献摘要：
本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命方法,分析了热电子效应对器件长期可靠性的影响.同时提出了采用栅漏反偏试验剔除早期存在热电子效应的试验方法,保证器件的可靠性和工作寿命.
文献关键词：
GaAs异质结构场效应晶体管;热电子效应;射频加速试验;可靠性
中图分类号：
作者姓名：
银军;黄旭;李用兵;余若祺;倪涛;王忠;许春良;赵鹏阁
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]银军;黄旭;李用兵;余若祺;倪涛;王忠;许春良;赵鹏阁-.GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法)[J].通讯世界,2022(07):107-109
A类：
HFET,热电子效应,射频加速试验
B类：
GaAs,功率器件,寿命评估,异质结构,结构场,场效应晶体管,heterostructure,field,effect,transistor,曲线拟合,工作寿命
AB值：
0.146689
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