针对50 V、1000 W GaN功率放大器对电源调制器模块的需求,设计了一款电源调制器模块.该调制器模块全部选用河北新华北集成电路有限公司自研芯片和器件进行设计,其中包括一款50 V集成负压使能的高压N沟道MOSFET驱动器作为关键控制器件,一款120 V高压N沟道MOSFET并联作为调制开关,一款可调负压偏置芯片为功率放大器提供栅极偏置电压.此方案能够覆盖14～70 V工作电压范围、60 A以内负载能力的应用需求,最大输出功率可达4000 W.模块内部芯片采用封装器件,结构上采用金属密封盒体设计,满足气密性要求,保证可靠性.经试验验证,该模块在50 V工作电压下为功率放大器提供漏极调制电压及栅极偏置电压功能、性能良好,且栅、漏电压上电时序可控,输出上升时间和下降时间分别为12.3 ns和38.4 ns,符合设计预期.

电源调制器;GaN功率放大器;N沟道MOSFET驱动器;负压偏置芯片

河北新华北集成电路有限公司,河北石家庄050051;河北省移动通信用射频集成电路重点实验室,河北石家庄050200;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050200

[1]赵光璞;赵永瑞;师翔;高业腾;银军;王俊标;高永辉-.用于50V、1000W GaN功率放大器的电源调制器)[J].通讯世界,2022(11):115-117

电源调制器,负压偏置芯片,漏极调制

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