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雪崩三极管的雪崩击穿导通特性研究
文献摘要：
雪崩三极管是较为理想的高压窄脉冲信号源半导体元器件,研究其雪崩击穿导通特性将有助于设计与优化基于雪崩三极管的脉冲产生电路.本文通过搭建雪崩三极管击穿工作电路,测试雪崩三极管在基极大注入触发的二次击穿导通模式,以及集电极—发射极和集电极—基极高压引起的雪崩击穿导通模式下的器件导通特性,并提取其开关导通参数,研究了开关导通特性,分析了雪崩三极管高压窄脉冲信号产生电路的性能,改进完善了电路设计.
文献关键词：
雪崩三极管;开关导通特性;雪崩击穿
中图分类号：
作者姓名：
徐守利;张鸿亮;郎秀兰;杨光晖;倪涛;段雪;刘京亮;许春良
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]徐守利;张鸿亮;郎秀兰;杨光晖;倪涛;段雪;刘京亮;许春良-.雪崩三极管的雪崩击穿导通特性研究)[J].通讯世界,2022(07):19-22
A类：
雪崩三极管,开关导通特性
B类：
雪崩击穿,较为理想,窄脉冲信号,脉冲信号源,体元,元器件,设计与优化,基极,导通模式,集电极,发射极,信号产生,进完,电路设计
AB值：
0.151227
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