典型文献
基于InP DHBT工艺16GS/s采样跟随放大器的设计
文献摘要：
为了解决超高速数据采集和处理设备因前端芯片性能不足而引发的超高速数据转换器带宽不足、线性度低等问题,本文根据目前国内半导体工艺和集成电路设计的水平,对基于fT>170 GHz InP DHBT工艺的高宽带全差分采样跟随放大器(track-and-hold amplifier,THA)进行研究,提出了在6 V电源供电的情况下,采用开关射极跟随器(switched emitter follower,SEF)结构的THA设计方案.通过合理设计DHBT器件的尺寸和偏置电流,使DHBT器件工作在特征频率附近,整体功耗为840 mW.采用馈通消减技术降低谐波失真,测试显示总谐波失真为-31 dBc,无杂散动态范围(spurious free dynamic range,SFDR)为-31 dBc.基于高迁移率InP DHBT器件的设计,该全差分THA的采样率达到16 GS/s,以期为相关人员提供参考.
文献关键词：
磷化铟;异质结双极型晶体管;采样跟随放大器;ADC;THD
中图分类号：
作者姓名：
李哲;许春良;魏洪涛;方园;刘会东;李远鹏
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]李哲;许春良;魏洪涛;方园;刘会东;李远鹏-.基于InP DHBT工艺16GS/s采样跟随放大器的设计)[J].通讯世界,2022(06):4-6
A类：
16GS,采样跟随放大器
B类：
InP,DHBT,超高速,高速数据采集,处理设备,数据转换,转换器,线性度,半导体工艺,集成电路设计,fT,GHz,宽带,全差分,差分采样,track,hold,amplifier,THA,switched,emitter,follower,SEF,合理设计,偏置,特征频率,功耗,mW,消减技术,低谐波,总谐波失真,真为,dBc,无杂散动态范围,spurious,free,dynamic,range,SFDR,高迁移率,采样率,磷化铟,异质结双极型晶体管,ADC,THD
AB值：
0.438413
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