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原子吸附对二维GeSe光电性质的影响
文献摘要：
GeSe作为一种Ⅳ-Ⅵ族半导体,具有优良的光电性质.二维GeSe具有直接带隙,带隙值在1.0～1.2 eV,与Si的带隙接近,因而单层GeSe可以用于光电领域.应用基于密度泛函理论的第一性原理方法探究了Al,O,B吸附对二维GeSe材料光电性质的影响,计算结果表明采用广义梯度近似(PW91形式下)交换关联泛函能够更好地描述GeSe单层的电子性质.吸附能计算结果表明,O,Al,B原子能稳定吸附在GeSe单层上,其中O形成的吸附最稳定.能带和态密度分析表明,吸附B,Al原子在带隙中产生的杂质能带使GeSe单层导电类型发生了改变,吸附原子调制了GeSe单层的带隙的宽度和光吸收的吸收边.光学性质计算结果表明,吸附原子影响了GeSe单层的折射率、消光性质,同时调控了光吸收和反射性质.Al吸附增强了从红外到可见光再到紫外光区整个光谱区的吸收;B吸附增强了从可见光到紫外光区的光吸收.同时,B,Al吸附也会增强光的反射,尤其是紫外光区的反射.总之,该研究为GeSe二维材料在光电领域的应用提供了可靠的理论依据.
文献关键词：
GeSe单层;密度泛函;光学性质;吸附;调控
中图分类号：
作者姓名：
张国英;于乐;管永翔
作者机构：
沈阳师范大学物理科学与技术学院,沈阳 110034
文献出处：
引用格式：
[1]张国英;于乐;管永翔-.原子吸附对二维GeSe光电性质的影响)[J].沈阳师范大学学报（自然科学版）,2022(03):193-201
A类：
PW91
B类：
GeSe,光电性质,带隙,eV,Si,基于密度,密度泛函理论,第一性原理方法,方法探究,广义梯度近似,换关,电子性质,吸附能,原子能,态密度,密度分析,光吸收,光学性质,折射率,消光,反射性,可见光,紫外光,强光,光的反射,总之,二维材料
AB值：
0.268831
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