典型文献
二维单层MoSi2X4(X=N,P,As)的电子结构及光学性质研究
文献摘要：
采用平面波超软赝势方法研究了二维单层MoSi2X4(X=N,P,As)的稳定性、电子结构和光学性质.研究结果显示,基于单层MoSi2N4的两种同分异构体M1和M2所构建的六种晶体结构具有较好的动力学稳定性.通过能带和有效质量的计算,单层MoSi2N4在MoSi2X4(X=N,P,As)六种晶体结构中显示出最宽的间接带隙和最高的载流子迁移率.随后带边电位的计算结果表明,单层MoSi2N4带边势分别为M1:-0.368、1.416 V,M2:-0.227、1.837 V,其结果相较于MoSi2P4和MoSi2As4导带边电位更负,价带边电位更正,是六种晶体结构中最适合用作光催化剂的材料.同时,光吸收谱的计算结果显示,单层MoSi2N4的光学吸收表现出明显的各向异性,在可见光和紫外光波段内具有较强的光吸收能力,说明其在可见光催化领域有着潜在的应用前景.这些结果为进一步深入研究二维单层MoSi2N4在光催化水解领域的应用提供了理论指导.
文献关键词：
MoSi2N4;电子结构;光催化;第一性原理;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
龚雪;马新国;万锋达;段汪洋;杨小玲;朱进容
作者机构：
湖北工业大学芯片产业学院 武汉 430068;湖北省能源光电器件与系统工程技术研究中心 武汉 430068
文献出处：
引用格式：
[1]龚雪;马新国;万锋达;段汪洋;杨小玲;朱进容-.二维单层MoSi2X4(X=N,P,As)的电子结构及光学性质研究)[J].化学学报,2022(04):510-516
A类：
MoSi2X4,MoSi2P4,MoSi2As4
B类：
平面波,电子结构和光学性质,MoSi2N4,同分异构体,M1,M2,六种,晶体结构,动力学稳定性,有效质量,带隙,载流子迁移率,导带,价带,更正,光催化剂,吸收谱,光学吸收,各向异性,紫外光,光波,波段,光吸收能力,可见光催化,催化水解,第一性原理
AB值：
0.273641
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