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双轴应变对二维Ⅳ-Ⅵ硫族化合物电子特性的影响
文献摘要：
利用密度泛函理论(density function theory,DFT)模拟计算了二维Ⅳ-Ⅵ硫族化合物(MXs:SnS、SnSe、SnTe、GeS、GeSe和GeTe)的本征结构和电子特性,重点研究了双轴应变对MXs的能带结构特点、带隙大小和费米能级的影响.发现应变对单层MX s的色散关系影响不大,但是对带隙大小的影响较大,而且压缩应变对带隙的影响大于拉伸应变.同时应变还可以调节GeSe、GeTe、SnSe和SnTe的直接带隙与间接带隙之间的转换.在应变的作用下单层MX s的费米能级随应变系数ε值的增加而降低,且压缩应变的影响大于拉伸应变的影响.采用应变工程研究二维MX s电子特性的变化趋势能为下一步实验上设计出高性能的二维半导体器件提供理论依据.
文献关键词：
密度泛函理论;双轴应变;单层MXs;带隙
中图分类号：
作者姓名：
郭颖;赵高扬
作者机构：
西安理工大学 材料科学与工程学院,西安 710048;陕西理工大学 物理与电信工程学院,陕西 汉中 723001
文献出处：
引用格式：
[1]郭颖;赵高扬-.双轴应变对二维Ⅳ-Ⅵ硫族化合物电子特性的影响)[J].功能材料,2022(01):1104-1111
A类：
MXs
B类：
双轴应变,电子特性,密度泛函理论,density,function,theory,DFT,SnSe,SnTe,GeSe,GeTe,能带结构,带隙,费米能级,色散关系,压缩应变,拉伸应变,下单,应变系数,应变工程,工程研究,势能,半导体器件
AB值：
0.298373
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