典型文献
硒化亚锗薄膜太阳能电池研究进展
文献摘要：
硒化亚锗(GeSe)禁带宽度合适(≈ 1.14 eV),吸光系数大(＞105cm-1),迁移率高(128.7cm2·V-1·s-1),价带顶中包含反键轨道赋予了其本征缺陷良性,理论光电转换效率可达30％以上,适合于制作高效薄膜太阳能电池;同时GeSe具有毒性低、储量丰富、组分简单及稳定性强等优点,还易于通过低成本的升华法进行薄膜制备,从而在大规模应用方面具有巨大潜力.以GeSe为研究对象,介绍了 GeSe基本性质,总结了 GeSe薄膜制备研究进展,阐述了 GeSe薄膜太阳能电池研究现状,并展望了其今后发展方向与趋势.
文献关键词：
GeSe;太阳能电池;光伏;薄膜制备;缺陷性质
中图分类号：
作者姓名：
闫彬;薛丁江;胡劲松
作者机构：
中国科学院化学研究所 分子纳米结构与纳米技术院重点实验室 北京100190
文献出处：
引用格式：
[1]闫彬;薛丁江;胡劲松-.硒化亚锗薄膜太阳能电池研究进展)[J].化学学报,2022(06):797-804
A类：
105cm,7cm2
B类：
硒化,锗薄膜,薄膜太阳能电池,GeSe,禁带宽度,eV,吸光,迁移率,价带,反键,本征缺陷,光电转换效率,有毒,储量,薄膜制备,巨大潜力,基本性质,缺陷性质
AB值：
0.292374
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
