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光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究
文献摘要：
利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源,对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究.结果表明,低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120:1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力,最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1,成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm.该研究对于光折变X射线超快成像系统的研制具有参考意义.
文献关键词：
光折变效应;X射线成像;超快成像;空间分辨率;动态范围
中图分类号：
作者姓名：
谭小波;闫欣;易涛;何凯;邵铮铮;周凯凯;高贵龙;汪韬;张军;庄钊文
作者机构：
国防科技大学 电子科学学院,长沙 410073;中国科学院西安光学精密机械研究所 超快诊断技术重点实验室,西安 710119;中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900
文献出处：
引用格式：
[1]谭小波;闫欣;易涛;何凯;邵铮铮;周凯凯;高贵龙;汪韬;张军;庄钊文-.光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究)[J].光子学报,2022(02):151-157
A类：
光折变效应
B类：
超快响应,空间性,高能量,纳秒激光,轰击,靶材,信号源,AlGaAs,线入,入射能量,动态范围,画幅,空间分辨率,lp,MTF,超快成像,成像系统
AB值：
0.333391
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