典型文献
二维半导体材料中激子对介电屏蔽效应的探测及其应用
文献摘要：
二维过渡金属硫族化合物作为二维半导体材料领域研究的重要分支,?凭借较强的光-物质相互作用和独特的自旋-谷锁定等特性,?吸引了广泛而持久的关注.?单层的二维过渡金属硫族化合物半导体具有直接带隙,在二维的极限下,?由于介电屏蔽效应的减弱,?电荷间的库仑相互作用得到了显著的增强,?其光学性质主要由紧密束缚的电子-空穴对—激子主导.?本文简单回顾了近年来二维过渡金属硫族化合物光谱学的研究历程,阐述了栅压和介电环境对激子的调制作用,?之后重点介绍了一种新颖的激子探测方法.?由于激发态激子(里德伯态)的玻尔半径远大于单原子层本身的厚度,?电子-空穴对之间的电场线得以延伸到自身之外的其他材料中.?这使得二维半导体材料的激子可以作为一种高效的量子探测器,?感知周围材料中与介电函数相关的物理性质的变化.?本文列举了单层WSe2激子在探测石墨烯-氮化硼莫尔(moiré)超晶格势场引发的石墨烯二阶狄拉克点,?以及WS2/WSe2莫尔超晶格中分数填充的关联绝缘态中的应用.?最后,?本文展望了这种无损便捷、高空间分辨率、宽适用范围的激子探测方法在其他领域的潜在应用场景.
文献关键词：
过渡金属硫族化合物;激子;介电屏蔽;激子探测
中图分类号：
作者姓名：
胡倩颖;许杨
作者机构：
中国科学院物理研究所, 北京 100190;南开大学物理科学学院, 天津 300191
文献出处：
引用格式：
[1]胡倩颖;许杨-.二维半导体材料中激子对介电屏蔽效应的探测及其应用)[J].物理学报,2022(12):118-132
A类：
介电屏蔽,激子探测,里德伯态,莫尔超晶格
B类：
二维半导体材料,屏蔽效应,二维过渡金属硫族化合物,材料领域,自旋,化合物半导体,带隙,电荷,库仑,用得,光学性质,空穴,光谱学,研究历程,探测方法,激发态,玻尔,远大于,单原子,电场线,伸到,量子探测,探测器,介电函数,物理性质,WSe2,石墨烯,氮化硼,moir,狄拉克,WS2,绝缘,高空间分辨率,潜在应用
AB值：
0.238092
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