典型文献
可见光下g-C3N4/InxSb2-xS3异质结界面耦合效应的增强光催化活性
文献摘要：
本文通过原位沉积法在g-C3N4纳米管表面限域修饰InxSb2-xS3纳米片,制备了不同g-C3N4含量的系列异质结光催化剂(InxSb2-xS3-TCN)并将其用于修复含Cr(VI)废水.研究结果表明,在可见光下,InxSb2-xS3-TCN通过吸附和光催化还原的协同作用有效去除Cr(VI),且当g-C3N4含量为70 mg时,复合材料(InxSb2-xS3-TCN-70)表现出最优异的吸附和光催化性能.在30 mg/L的Cr(VI)水溶液中,InxSb2-xS3-TCN-70的平衡吸附量为12.45 mg/g.在可见光照射10 min后,Cr(VI)被还原为Cr(III).DRS和PL的表征结果表明,g-C3N4和InxSb2-xS3之间的界面耦合效应提高了可见光的利用率,抑制了光致载流子的复合,增强了复合材料的光催化活性.此外,经过5次Cr(VI)吸附-光还原循环后,光催化剂仍具有较高的还原活性和较好的稳定性.
文献关键词：
InxSb2-xS3-TCN;光催化剂;界面耦合效应;含Cr(VI)废水;吸附;光催化还原
中图分类号：
作者姓名：
杨婷;胡新宇;王军涛;杨田丽;王文磊
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]杨婷;胡新宇;王军涛;杨田丽;王文磊-.可见光下g-C3N4/InxSb2-xS3异质结界面耦合效应的增强光催化活性)[J].中南大学学报（英文版）,2022(05):1447-1462
A类：
InxSb2,xS3,界面耦合效应
B类：
可见光,C3N4,异质结,结界,强光,光催化活性,原位沉积,沉积法,纳米管,管表面,限域,纳米片,光催化剂,TCN,VI,附和,光催化还原,光催化性能,水溶液,吸附量,原为,III,DRS,PL,载流子,光还原
AB值：
0.180646
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
