典型文献
微细凹槽电沉积铜工艺及影响因素研究
文献摘要：
微细凹槽内无空洞和缝隙缺陷铜填充是集成电路芯片铜布线制造工艺技术需解决的关键问题.采用酸性镀铜工艺,在镀铜硅片上开展了微细凹槽内电沉积铜填充研究;采用正交试验法和单因素实验,分析了电沉积过程中重要因素的影响排序和作用机理.研究结果表明,各影响因素数值的增加均能提高凹槽的填充率,电流密度和加速剂浓度的增加可以提高凹槽的填充速率,而电镀时间和整平剂浓度的增加以及过大的加速剂浓度则会降低填充速率.
文献关键词：
凹槽填充;电沉积;正交试验;填充率
中图分类号：
作者姓名：
琚文涛;徐舒婷;屠逍航;江莉;黄晓巍;余云丹;张中泉;卫国英
作者机构：
中国计量大学材料与化学学院,浙江杭州,310018
文献出处：
引用格式：
[1]琚文涛;徐舒婷;屠逍航;江莉;黄晓巍;余云丹;张中泉;卫国英-.微细凹槽电沉积铜工艺及影响因素研究)[J].电镀与精饰,2022(04):30-35
A类：
B类：
微细,电沉积,槽内,缝隙,集成电路,布线,制造工艺,工艺技术,镀铜,硅片,正交试验法,单因素实验,沉积过程,素数,填充率,电流密度,加速剂,电镀,整平剂,凹槽填充
AB值：
0.378057
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